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莱迪思半导体公司
图13. EBR同步读时序图
t
EBCPW
ispXPGA系列数据手册
CLK
CE
WE
OE
数据
ADDR
t
EBCES
t
EBCEH
t
EBWES
t
EBWEH
无效数据
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEEN
有效数据
t
EBWEDIS
t
EBADDS
t
EBCO
有效数据
t
EBADDH
同步写：
WE信号控制所述同步写操作。当WE信号为高电平时，
写操作开始。一旦地址和数据都存在和输出启用（ OE ）是活动的，上升时钟
边缘（或取决于极性下降沿）使数据被存储到的EBR 。图14示出了
同步写操作时序。
图14. EBR同步写入时序图
CLK
t
EBPW
WE
数据
ADDR
t
EBWES
t
EBWEH
t
EBDATAH
t
EBDATAS
t
EBADDH
t
EBADDS
写
写
异步读取：
WE信号控制异步读取操作。当WE信号为低电平时，
读操作开始。不久后的地址存在时，所存储的数据是可用的数据端口上。图15
说明了异步读取时间。有关EBR的更多信息，请参阅点阵技术说明num-
BER TN1028
ispXPGA内存使用指南，
可在www.latticesemi.com 。
图15. EBR异步读时序图
WE
OE
t
EBWEDIS
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEEN
DATA1
DATA1
无效数据
数据
ADDR
ADDR0
DATA0
t
EBARAD_H
t
EBARADO
ADDR1
ADDR2
13
