LM3402/LM3402HV
在这个例子中，电感器的峰值电流额定值应
大于479毫安。在短路的情况下，跨
发光二极管阵列，所述LM3402将继续提供额定电流
租通过短，但会降低输出电压到
等于200 mV的CS引脚电压。最坏情况下的峰值电流
在这种状态下是等于：
Δi
L（ LED - SHORT ）
= [(26.4 – 0.2) x 300 x 10
-9
] / 26.4 x 10
-6
= 298毫安
P-P
I
L（峰）
= 0.35 + 0.149 = 499毫安
在一个短的情况下，在开关节点，输出，或从
CS引脚对地短路电流限制将参与
在735 mA的典型峰值电流。为了防止IN-
在这些短路导体饱和电感器的
峰值电流额定值必须高于735毫安。该器件SE-
lected是关闭的，现成的额定电感33 μH ± 20 ％以
96 mΩ的DCR和0.82A的峰值电流额定值。该phys-
这种电感的iCal的尺寸为7.0× 7.0× 4.5毫米。
R
SNS
电流检测电阻的值可以通过重新确定
安排平均表达LED从当前
LED电流精度节：
C
O
= 1/(2 x
π
x 0.157 x 4.68 x 10
5
) = 2.18 F
该计算假设阻抗，由于等价
借串联电阻（ESR ）和等效串联电感
的C （ ESL ）
O
是微不足道的。最接近的10 ％容差的电容器
值是2.2 μF 。所使用的电容应额定10V或
越来越有X7R电介质。一些制造商亲
领袖陶瓷电容器用这些规范在0805
外壳尺寸。 1毫欧的ESR的典型值，可以读出
阻抗的产品中的曲线与频率的关系
数据表。
输入电容
下面从输入电容部分的计算，
Δv
IN （MAX）
将1％的
P-P
= 240毫伏。最小所需钙
pacitance是：
C
IN（分钟）
= (0.35 x 300 x 10
-9
） / 0.24 = 438 nF的
在期待更多的容量，将需要预
发泄电源交互的1.0 μF陶瓷电容
额定电压为50V采用X7R电介质在1206封装尺寸将是
使用。从设计注意事项部分中，输入电流有效值
租金：
I
IN- RMS
= 0.35 X SQRT（ 0.154 X 0.846 ） = 126毫安
对于1206尺寸陶瓷电容的纹波电流额定值
通常比1A高，有足够多的这种设计。
R
SNS
= 0.74,
t
SNS
= 220纳秒
子1Ω电阻均为1 ％和5 ％的容差在可用。
A 1 ％ ， 0.75Ω电阻会给平均值的最佳精度
年龄的LED电流。来确定电阻器大小的功率
耗散可以计算为：
P
SNS
= (I
F
)
2
个R
SNS
P
SNS
= 0.35
2
X 0.75 = 92毫瓦
标准的0805尺寸电阻的额定125毫瓦，并将于
适合于这种应用。
要选择合适的输出电容，降压式
稳压器的输出电容器被重新安排，以产生
以下几点：
续流二极管
这必须被确定为D1中的第一个参数是
反向电压额定值。肖特基二极管可在再
30V和40V的诗句收视率，往往在同一个包，用
相同的正向电流额定值。考虑到振铃40V
肖特基将被使用。
下一个参数，以确定是正向工作电流
评级和封装尺寸。在本实施例中，低占空比（D =
3.7 / 24 = 15 ％ ），需要循环二极管D1携带
负载电流超过内部电源更长MOS-
FET的LM3402的。预计平均二极管电流为：
I
D
= 0.35 X 0.85 = 298毫安
肖特基二极管可在正向电流额定值
0.5A ，但额定电流往往假设一个25 ℃的上午
关环境下，不考虑应用程序
温度上升阳离子限制。额定二极管
更高的电流，可能需要保持的温度上升
低于40 ° C.To确定适当的情况下，大小，耗散
灰和温升在D1中可以计算出如图所示
在设计注意事项部分。 V
D
对于小尺寸的情况下，
如SOD- 123的40V ， 0.5A肖特基二极管在350 mA的
大约0.4V和
θ
JA
是206 ° C / W 。功率耗散
灰和温升可以计算为：
P
D
= 0.298 ×0.4 = 119毫瓦
T
上升
= 0.119 X 206 = 24.5 ℃，
根据这些计算的SOD- 123二极管见面会
的要求。暖气和耗散是外交事务委员会中
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目标公差为LED纹波电流为±5％或10％的
P-
P
= 35毫安
P-P
和LED数据表给出的典型值
r
D
的1.0Ω在350 mA的电流。所需的电容阻抗
减少258毫安最坏情况下的电感纹波电流
P-P
is
因此：
Z
C
= [0.035 / (0.258 - 0.035] x 1.0 = 0.157
陶瓷电容将被用于和所需的电容
被选择的基础上，在468千赫阻抗：
