A D V A N权证
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MAL操作。需要注意的是WP ＃ / ACC脚不能
可以在V
HH
运营加速比亲等
编程，或设备损坏可能导致。此外，
在WP ＃ / ACC脚不能悬空或不整合
连接的;可能会导致设备的不一致的行为。
自动选择功能
如果系统写入自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用
此模式。指的是自选模式和Autose-
了解更多信息择命令序列部分
化。
器件地址输入地址生成有效
上的设备的数据的数据输出。每家银行的遗体
启用之前，命令寄存器的读访问
内容也被改变。
请参阅“要求的阵列读取数据”更多
信息。请参考交流只读操作
表定时规范，图13为
时序图。我
CC1
在DC特性表
代表的有功电流规格的阅读
阵列的数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”了解IN-
形成。
该器件具有一个
解锁绕道
模式的制造厂
itate更快的编程。一旦银行进入非
锁定旁路模式，只有两个写周期需要
编程而不是四个单词或字节。该
“字/字节配置”一节，对亲细节
用编程数据到设备的标准和
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表3-6显示了AD-
装扮空间每个扇区占据了。该装置
地址空间被分成两个组：组1 CON-
包括作为开机/参数领域，以及银行2包含
规模较大，行业代码，大小均匀。 “银行AD-
礼服“是必需的唯一选择一个地址位
银行。类似地，一个“扇区地址”是地址位
需要唯一地选择一个扇区。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。交流
特色部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
加快程序运行
该器件提供加速方案业务
通过ACC功能。这是两个功能之一
通过WP ＃ / ACC引脚提供。这个功能是prima-
rily旨在允许更快的生产量
在工厂。
如果系统断言V
HH
该引脚上，该装置自动
自动进入上述解锁绕道
模式，暂时取消保护所有受保护的行业，
并使用较高的电压在销上以减少
所需的编程操作时间。该系统
将使用一个双周期的程序命令序列
所要求的解锁旁路模式。删除
V
HH
从WP ＃ / ACC引脚器件返回到去甲
2002年5月15日
同时读/写操作
零延迟
此装置能够读取数据从一个存储
的存储器中，而在其它编程或擦除
记忆库。擦除操作还可以是可持
从挂起或程序到另一个位置来读取
在同一行（除了该扇区是
擦除） 。图20示出了如何读取和写入周期
可以进行同步操作以零开始
潜伏期。我
CC6
我
CC7
在DC特性表
代表当前规范同时读 - 亲
克而读，而擦除，分别。
待机模式
当系统没有读取或写入到设备
副，它可以将器件置于待机模式。在
这种模式下，电流消耗大大减少，
并输出被放置在高阻抗
国家，独立的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
± 0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
± 0.3 V时，该设备将处于待机状态下，
但待机电流将更大。该设备重
张塌塌米标准访问时间（t
CE
）进行读访问
当该装置是在这两种待机模式，
它是前准备读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件恩
能源消耗。该设备将自动启用
当地址保持稳定吨这种模式
加
+
30纳秒。自动睡眠模式是独立的
在CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。 AD-标准
9
Am29DS32xG
