EMG2DXV5T1 ， EMG5DXV5T1
器件标识和电阻值
设备
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
包
SOT553
SOT553
记号
UP
UF
R1 （ K）
47
10
R2 （ K）
47
47
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性（ Q1 & Q2 ）
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流（V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0） EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征（ Q1 & Q2 ）
（注3）
直流电流增益（V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
V
OH
R
1
R
1
/R
2
4.9
32.9
7.0
0.8
0.17
47
10
1.0
0.21
0.2
0.2
61.1
13
1.2
0.25
VDC
kW
80
80
140
140
0.25
VDC
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.1
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 370 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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