位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第0页 > EM584161BA-70 > EM584161BA-70 PDF资料 > EM584161BA-70 PDF资料1第5页
EtronTech
读周期
EM584161
交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 1.65V至1.95V ）
EM584161
符号
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TBA
TLZ
TOLZ
tBLZ
太赫兹
tOHZ
tBHZ
TOH
写周期
EM584161
符号
TWC
TWP
TCW
TBW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDS
TDH
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
WE＃低到输出的高阻
WE＃高到输出中低Z
数据建立时间
数据保持时间
参数
-85
-70
单位
30
ns
最小值最大值最小值最大值
85
55
70
70
0
0
5
35
0
35
70
55
60
60
0
0
5
30
0
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ＃ ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低-Z低到输出
输出使能低-Z低到输出
数据字节控制低到输出低-Z
芯片使能高到输出的高阻
输出使能高到输出的高阻
数据字节控制高到输出的高阻
输出数据保持时间
参数
-85
-70
单位
70
70
70
35
35
25
25
25
ns
最小值最大值最小值最大值
85
10
3
5
10
85
85
85
45
45
35
35
35
70
10
3
5
10
AC测试条件
输出负载： 30pF的+ 1 TTL门
输入脉冲电平： 0.2V ， VDD - 0.2V
定时测量： 0.5× V
DD
TR ， TF：为5ns
5
修订版2.0
2003年11月
