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EM25LV010
1兆位（ 128K ×8 ）串行闪存
规范
S#
0
1
2
3
4
5
6
7
t
RES1
C
指令
D
高阻抗
Q
深度掉电模式
待机模式
图21：
从深度掉电（ RES ）序列发布
S#
0
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10
C
28
29 30
31 32 33 34 35 36 37 38
指令
24位地址
23
22 21
3 2 1 0
7 6 5 4 3 2 1 0
制造商ID （ 7Fh的）
D
最高位
Q
最高位
S#
39
40 41 42 43 44 45
46
47 48
49 50 51 52 53 54
55 56 57 58 59 60 61 62
63
C
7 6 5 4 3 2 1 0
7 6 5 4 3 2 1 0
7 6 5 4 3 2 1 0
D
制造商ID （ 7Fh的）
制造商ID （地址1Fh ）
设备ID （ 05H ）
Q
最高位
最高位
最高位
图22 ：
阅读制造商和设备ID （ RDID ）序列
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年11月8日V1.0 ）
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