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8兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF800B
数据表
AC特性
表12 ：读周期时序参数
70纳秒
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
40
40
民
70
70
70
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T12.0 1344
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表13 ：编程/擦除周期时序参数
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA
T
SE
T
BE
T
SCE
1
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
民
0
50
0
0
0
10
50
50
30
30
50
0
最大
40
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
50
50
200
ns
ms
ms
ms
T13.0 1344
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2007硅存储技术公司
S71344-00-000
2/07
11
