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8兆位多用途闪存
SST39WF800A
数据表
表8 ：直流工作特性，V
DD
= 1.65-1.95V
1
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
编程和擦除
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
2
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.1
0.8V
DD
0.1
15
20
20
1
1
0.2V
DD
V
V
V
mA
mA
A
A
A
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 5MHz时，
V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T8.0 1258
对于数据表的头版上显示的有源电流1.典型的情况是在25 ℃的平均值
（室温）和V
DD
= 1.8V 。未经100％测试。
2. 20 μA的最大I
SB
所有SST39WF800A商用级器件。 30 μA是我最大
SB
所有39WF800A工业
级器件。对于所有SST39WF800A商业和工业设备，我
SB
典型的是在5 μA 。
表9 ：推荐系统上电时序
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
s
s
T9.0 1258
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T10.0 1258
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：可靠性特性
符号
N
END1,2
T
DR1
I
LTH
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T11.0 1258
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2. N
结束
耐力评级资格10,000周期最低为整个设备。一个部门或块级评级将导致
较高的最低规格。
2006硅存储技术公司
S71258-06-000
07/07
10
