4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
表6 ：
变体系
I
覆盖整个院落
I
载文信息FOR
SST39WF400A
地址
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
数据
0016H
0020H
0000H
0000H
0005H
0000H
0005H
0007H
0001H
0000H
0001H
0001H
数据
V
DD
敏（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
DD
马克斯（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
PP
分钟（ 00H =无V
PP
针）
V
PP
MAX（ 00H =无V
PP
针）
典型的超时为字编程2
N
s (2
5
= 32 s)
典型的超时时间为分钟大小的缓冲区方案2
N
微秒（ 00H =不支持）
典型的超时个别部门/块擦除2
N
MS（ 2
5
= 32毫秒）
典型的超时为芯片擦除2
N
MS（ 2
7
= 128毫秒）
最大超时的字编程2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
5
= 64 s)
最大超时缓冲区方案2
N
时代典型
最大超时个别部门/块擦除2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
5
= 64毫秒）
最大超时芯片擦2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
7
= 256毫秒）
T6.0 1220
表7 ：D
EVICE
G
EOMETRY
I
载文信息FOR
SST39WF400A
地址
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
数据
0013H
0001H
0000H
0000H
0000H
0002H
007FH
0000H
0010H
0000H
0007H
0000H
0000H
0001H
数据
器件尺寸= 2
N
字节（ 13H = 19; 2
19
= 512 K字节）
闪存设备接口描述; 0001H = X16仅异步接口
字节的多字节写最大数目= 2
N
（ 00H =不支持）
支持的设备擦除扇区/块大小数
部门信息（y + 1 =扇区数; ZX = 256B扇区大小）
Y = 127 + 1 = 128个扇区（ 007FH = 127 ）
Z = 16× 256字节= 4 K字节/扇区（ 0010H = 16 ）
块信息（y + 1 =块数目; ZX 256B =块大小）
Y = 7 + 1 = 8块（将0007h = 7 ）
Z = 256× 256字节= 64 K字节/块（ 0100H = 256）
T7.0 1220
2003硅存储技术公司
S71220-04-000
11/03
8
