4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
产品订购信息
SST
39 WF 400A
XX XX XXXX
- 90
- XXX
-
-
4C
XX
- B3K
- XXX
E
X
环境属性
E =非铅
包修改
K = 48引脚或球
Q = 48球或凸起（ 66可能的位置）
套餐类型
B3 = TFBGA封装（ 0.8mm间距， 6× 8毫米）
C1 = XFLGA （ 0.5mm间距，采用4mm x 6毫米）
M1 = WFBGA （ 0.5mm间距，采用4mm x 6毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
90 = 90纳秒
100 = 100纳秒
器件密度
400 = 4兆位
电压
W = 1.65-1.95V
产品系列
39 =多用途闪存
有效组合SST39WF400A
SST39WF400A-90-4C-B3K
SST39WF400A-90-4C-B3KE
SST39WF400A-90-4I-B3K
SST39WF400A-90-4I-B3KE
SST39WF400A-100-4I-B3K
SST39WF400A-100-4I-B3KE
SST39WF400A-90-4C-C1Q
SST39WF400A-90-4C-C1QE
SST39WF400A-90-4I-C1Q
SST39WF400A-90-4I-C1QE
SST39WF400A-100-4I-C1Q
SST39WF400A-100-4I-C1QE
SST39WF400A-90-4C-M1Q
SST39WF400A-90-4C-M1QE
SST39WF400A-90-4I-M1Q
SST39WF400A-90-4I-M1QE
SST39WF400A-100-4I-M1Q
SST39WF400A-100-4I-M1QE
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
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