
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
AC特性
表12 :v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 1.70-1.95V
为
90
NS1
V
DD
= 1.65-1.95V
为
100
NS
SST39WF400A-90
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ2
T
OLZ2
T
CHZ2
T
OHZ2
T
OH2
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE#低电平至输出
OE #低到有源输出
CE#高到高阻输出
OE #高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
40
40
0
民
90
90
90
50
0
0
40
40
最大
SST39WF400A-100
民
100
100
100
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T12.2 1220
1. 90 ns的部分将只支持电压范围1.70-1.95V 。
2.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表13 :P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
BE
T
SCE
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE#和CE #建立时间
WE#和CE #保持时间
OE #高的建立时间
OE #高保持时间
CE#脉冲宽度
WE#脉冲宽度
WE#脉冲宽高
CE#脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
0
50
0
0
0
10
50
50
30
30
50
0
150
50
50
200
民
最大
40
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
T13.0 1220
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
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