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ST7263BDx ST7263BHx ST7263BKx ST7263BE
4闪存程序存储器
4.1简介
在ST7双电压的高密度闪存
（ HDFlash ）是一种非易失性存储器，可以是
作为一个单一的块或individu-电擦除
人的部门和程序上逐字节钡
SIS使用外部V
PP
供应量。
该HDFlash设备可以被编程和
删除板外（插入编程工具）
或车载使用ICP （在电路编程）或
IAP （在应用中编程） 。
该阵列矩阵式组织使每个部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他sectors.Main功能
■
3闪存编程模式：
- 插入一个编程工具。在这种模式下，
所有部门，包括选项字节可以亲
编程或擦除。
- ICP （在电路编程） 。在这种模式下，所有
部门，包括选项字节可以亲
编程或擦除的不除去DE-
副的应用电路板。
- IAP （在应用中编程）在本
模式，除了扇区0各界人士，可以亲
编程或擦除的不除去DE-
从应用板，虽然副
应用程序正在运行。
■
ICT （在线测试）下载和
执行用户应用测试模式的RAM
■
读出保护
■
注册访问安全性系统（ RASS ）到
防止意外编程或擦除
4.2结构
Flash存储器被组织部门和罐
同时用于代码和数据的存储。
根据在总的闪存存储器大小
微控制器的设备，有最多三个用户
部门（见
表6）。
每个部门都可以
可以独立地被擦除，以避免不必要的
只有当整个闪速存储器的擦除一
部分删除是必需的。
前两个行业有4字节的固定大小的
（见
图8）。
它们被映射到上部
因此，复位和ST7的寻址空间
中断矢量位于扇区0 （ F000h-
FFFFH） 。
表6.行业中的闪存设备提供
闪存大小（字节）
4K
8K
> 8K
可用扇区
扇区0
行业0,1
扇区0,1,2
4.2.1读出保护
读出保护功能，选择的时候，提供了一个
防止程序存储器的内容EX-
牵引力和反写访问闪存memo-
RY 。即使没有保护，可以考虑以─
理货牢不可破，该功能提供了一个非常高的
保护的通用单片机水平
控制器。
在闪存设备，这种保护是通过重新删除
编程的选项。在这种情况下，整个
程序存储器自动擦除和
该装置可以被重新编程。
读出保护的选择取决于DE-
副类型：
- 在Flash的设备已启用和删除
通过选项字节的FMP_R位。
- 在ROM设备是通过掩膜选项启用
在选项列表中指定。
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