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ST7260
13.7 EMC特性
药敏试验对样品进行钡
在产品特性虫病。
13.7.1功能的EMS （电磁
易感性）
基于对一个简单的运行的应用程序
产物（切换2个LED ，通过I / O端口），则
产物是由两个电磁事件强调
直到发生故障时（由LED指示）。
■
ESD ：
静电放电（正和
负）被施加于该装置的所有引脚直到
功能发生紊乱。该测试
符合符合IEC 1000-4-2标准。
■
FTB ：
快速瞬态电压的突发（正
和负的）被施加到V
DD
和V
SS
通过
一个100pF的电容，直至功能障碍
发生。该测试符合IEC的1000-4-
4标准。
器件复位允许正常的操作要重新
SUMED 。测试结果列于表中给出BE-
较低的基础上定义的EMS级别和类别
应用笔记AN1709 。
13.7.1.1设计硬软件，以避免
噪音问题
EMC特性和优化是针对每个
形成在元件级有一个典型的应用
符号
V
FESD
V
FFTB
参数
化环境，简化MCU软件。它
应当指出的是良好的EMC性能是
高度依赖于用户的应用程序和
软件尤其如此。
因此，建议用户施加
EMC的软件优化和资格预审
测试与要求的EMC等级关系
他的申请。
推荐软件：
软件流程图必须包括管理
彪失控的情况，如：
- 损坏的程序计数器
- 意外复位
- 关键数据损坏（控制寄存器... ）
资格预审试验：
大部分的常见故障（突发复位
与程序计数器腐败）可重现
通过手动强制对RE-低状态duced
SET引脚或振荡器引脚1秒。
要完成这些试验， ESD应力也可设计
直接合股在设备上，在范围
规范值。当意外行为
被检测到，该软件可以被硬化以预
发泄不可恢复的错误发生（见应用
化笔记AN1015 ） 。
条件
水平/
类
4B
4A
电压范围，可在任何I / O引脚，诱导V应用
DD
=5
V，T
A
=+25
° C，F
OSC
=8
兆赫，
功能性紊乱
符合IEC 1000-4-2
要应用快速的瞬态电压限制爆裂
通过100pF电容上的V
DD
和V
DD
销以诱导
功能障碍
V
DD
=5
V，T
A
=+25
° C，F
OSC
=8
兆赫，
符合IEC 1000-4-4
13.7.2电磁干扰（EMI）的
基于上运行一个简单的应用程序
产物（切换2个LED通过I / O端口） ，
该产品是在排放方面的监测。这
发射测试符合标准SAE J 1752 /
3 ，指定董事会和加载
每个引脚。
受监控
频带
为0.1MHz至30MHz
30MHz至为130MHz
马克斯与
[f
OSC
/
f
中央处理器
]
16/8兆赫
V
DD
=5V,
T
A
=+25°C,
符合SAE J 3分之1752
36
39
26
3.5
-
dBμV的
符号
参数
条件
单位
S
EMI
峰值电平
1)
注意：
请参考应用笔记AN1709用于为130MHz至1GHz
其它封装类型的数据。
SAE EMI水平
注意：
根据表征结果1.数据，而不是在生产测试。
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