高温反向偏置（ HTRB ）
测试电路
条件
偏见：
温度：
持续时间：
测试点：
VCE =根据需要
TMAX
2000小时名义
168, 500, 1000,
1500 ， 2000 ，标称小时
DUT
D
DC
BIAS
D
=二极管只CoPack设备
用途
高温反向偏置（ HTRB ）老化是强调与设备
在阻断模式而升高结温度的施加电压。这
将加速任何阻断电压的降解过程。
失效模式
对于HTRB压力的主要失效模式被击穿的逐渐退化
特征或
V
（ BR ） CES
。这种退化已被归因于存在
异物和极性/离子污染物。这些材料，在迁移
在高温下施加电场，有可能扰乱电场
终端结构。
需要特别小心的长期测试过程中行使，以避免潜在的
危险，如在静电放电或电气过应力的门
测试。从这种滥用而产生的故障可能是由真正的几乎没有区别
HTRB失败，它是由实际的应力测试。
敏感的参数
V
（ BR ） CES ，
I
CES ，
I
GES ，
V
GE （日）
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
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