NIF5002N
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
42 V ， 2.0 A单N沟道， SOT- 223
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HDPlust设备是一种先进的系列功率MOSFET
它采用安森美半导体最新的MOSFET技术工艺
以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
V
（ BR ） DSS
（夹紧）
42 V
R
DS （ ON）
典型值
165毫瓦@ 10 V
I
D
最大
2.0 A*
*最大电流限制值依赖于输入
条件。
漏
过压
保护
M
PWR
门
输入
R
G
电流限制
与自动重新启动热关断
短路保护
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
无铅包可用
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
来源
4
1
2
SOT223
CASE 318E
方式3
应用
灯光
螺线管
小马达
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
(R
G
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续漏电流
功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
@ T
T
= 25 ° C（注3 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
价值
42
42
"14
1.1
1.7
8.9
-55
150
150
单位
V
V
V
3
标记图
1
门
AYW
5002N
G
G
2
漏
3
来源
4
漏
内部限制
W
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
5002N =具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 32 V, V
G
= 5.0 V，I
PK
= 1.0 A,
L = 300 mH的，R
G（ EXT ）
= 25
W)
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
mJ
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 启示录7
出版订单号：
NIF5002N/D
