NID5001N
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极钳位击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ，
T
J
= 150°C)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门输入电流
(V
GS
= 5.0伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.2 MADC ）
阈值温度系数
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5.0 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5.0 ADC ，T
J
@ 150°C)
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 5.0 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 5.0 ADC ，T
J
@ 150°C)
源极 - 漏极正向电压上
(I
S
= 5 A，V
GS
= 0 V)
开关特性
开启时间
关断时间
开启时间
关断时间
上压摆率
摆率关闭
V
GS
= 5.0 V
dc
, V
DD
= 25 V
dc
I
D
= 1.0 A
dc
， EXT
G
= 2.5
W
V
GS
= 10 V
dc
, V
DD
= 25 V
DC ，
I
D
= 1.0 A
dc
， EXT
G
= 2.5
W
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
T
（上）
T
（关闭）
T
（上）
T
（关闭）
DV =
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
32
68
11
86
0.5
0.35
40
75
15
95
V / ms的
V / ms的
ms
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
23
43
R
DS （ ON）
28
50
V
SD
0.80
34
60
1.1
V
29
55
mW
1.8
5.0
2.0
VDC
-MV /°C的
mW
V
（ BR ） DSS
42
42
I
DSS
1.5
6.5
I
GSSF
50
5.0
100
MADC
46
44
50
50
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
自我保护特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
电流限制
(V
GS
= 5.0伏）
V
DS
= 10 V (V
GS
= 5.0伏，T
J
= 150°C)
(V
GS
= 10 VDC ）
V
DS
= 10 V (V
GS
= 10 VDC ，T
J
= 150°C)
温度限制（关断）
温度限制
（电路复位）
温度限制（关断）
温度限制
（电路复位）
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 10 VDC
V
GS
= 10 VDC
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
I
LIM
21
12
29
13
150
135
150
135
30
19
41
24
175
160
165
150
36
30
49
31
200
185
185
170
°C
°C
°C
°C
ADC
ESD电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
静电放电能力
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
ESD
4000
400
V
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