8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
5.1
直流特性
参数值适用于所有的设备，除非另有说明。
表9. DC在V特性
CC
= 4.5 – 5.5 V
符号
V
IL
V
IL
1
V
IH
V
IH
1
V
OL
参数
输入低电压
（除EA ＃ ）
输入低电压
（ EA ＃ ）
输入高电压
（除XTAL1 ， RST ）
输入高电压
（ XTAL1 ， RST ）
输出低电压
（端口1，2， 3）
民
-0.5
0
0.2V
CC
+ 0.9
0.7V
CC
典型
最大
0.2V
CC
– 0.1
0.2V
CC
– 0.3
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.3
0.45
1.0
0.3
0.45
1.0
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.5
单位
V
V
V
V
V
I
OL
= 100 A
I
OL
= 1.6毫安
I
OL
= 3.5毫安
（注1，注2 ）
I
OL
= 200 A
I
OL
= 3.2毫安
I
OL
= 7.0毫安
（注1，注2 ）
I
OH
= -10 A
I
OH
= -30 A
I
OH
= -60 A
（注3）
测试条件
V
OL
1
输出低电压
（端口0 ， ALE ， PSEN ＃ ）
V
V
OH
输出高电压
（端口1 ，2，3 ，ALE，
PSEN ＃ ）
V
注意事项：
1.在稳态（非瞬态）的条件下，我
OL
必须从外部限制如下：
我最大
OL
每个端口引脚： 10毫安
我最大
OL
每8位端口：
端口0
26毫安
端口1-3
15毫安
最大总I
OL
为
所有输出引脚
71毫安
如果我
OL
超过了试验条件，V
OL
可能超过相应的规格。不保证引脚
下沉比列出的测试条件更大的电流。
2.
在端口0和2的电容性负载可能导致以上0.4伏的低级别的寄生噪声脉冲
ALE和端口1 ，2和3的输出端的噪声，是由于外部总线电容放电到
端口0和端口2引脚时，这些引脚变高后低。在应用中，电容式
负载超过100 pF的，这些信号的噪声脉冲可以超过0.8V。这可能需要
符合ALE或其他信号与施密特触发器或CMOS电平输入逻辑。
在端口0和2的原因在V容性负载
OH
在ALE和PSEN ＃砸规格如下
化时，地址线正趋于稳定。
典型值是使用V获得
CC
= 5.0, T
A
= 25°C ，并不能保证。
3.
4.
16
初步
