HX2000/HX2000r

HX2000特点

核心总门数

美国A B L E G A T E伯爵

最高芯片的I / O

最大封装I / O （ 2 ）

典型的延迟- 2输入与非

可选的I / O

I / O接口电平

典型功耗， μW /门/ MHz的

工作电压

工作温度

工艺技术

最小几何

HX2000

HX2000r

HX2000

HX2000r

3层金属

4层金属（1）

HX2040*

40K

27K

36K

132

待定

HX2080

85K

53K

71K

176

176

HX2160

160K

91K

132K

240

240

HX2300

295K

156K

226K

336

320

HX2400

390K

200K

290K

372

320

270 PS在5.0V和290 ps的电压为3.3V

驱动器，接收器，双向，三态

CMOS ， TTL ，施密特触发器

0.6 @ 5.0V, 0.22 @ 3.3V

5.0V ± 10%

3.3V ± 10 ％ （核心& I / O）和/或5.0V ± 10 ％ （ I / O）

-55 ° C至125°C

RICMOS 四SOI

0.65微米L

EFF

/ 0.8μm的拉制（5V）

0.55微米L

EFF

/ 0.7微米拉（ 3.3V ）

*计划的阵列

（ 1 ）预计

（2）设计和包装相关的。

高阻关断状态的缓冲功能允许用户

他们的系统以节省功耗或关闭电源部分

冷备用。

逻辑设计人员不必在辐射以往的经验

硬化。霍尼韦尔的VDS Toolkit和RICMOS IV SOI

图书馆提供必要的指导率先实现

通过设计的成功。 VDS的工具包支持行业

标准平台，包括那些提供的导师

图形和Synopsys 。

霍尼韦尔能够执行设计转换为HX2000

阵列从其他CAD平台。我们的综合能力

使客户能够使用熟悉的CAD工具和库

映射现有设计霍尼韦尔库组件。

该HX2000系列门阵列是正确的选择你

高可靠性的应用要求高密度和

辐射性能。要了解更多关于霍尼韦尔

各种空间的组成部分，致电612-954-2888 。

要了解更多关于霍尼韦尔固态电子学研究中心，请访问我们的网站：

http://www.ssec.honeywell.com

霍尼韦尔公司保留更改本文以提高可靠性，功能或设计的任何产品或技术的权利。霍尼韦尔公司不承担任何责任

因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

帮助你控制你的世界

900144 Rev.A的

2/97

2