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写命令/命令序列
写一个命令或命令序列
（包括编程数据到设备
和擦除的存储器扇区） ，则系统
必须驱动WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃为
V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚阻止 -
矿山设备是否接收数据的程序
在字节或字。请参阅“字/字节组态
口粮“的详细信息。
该器件具有一个
解锁绕道
MODE键，
方便更快速的编程。一旦设备
进入解锁旁路模式，只有两个写
周期来编程一个字或字节
而不是四个。该“字/字节编程
命令序列“部分对亲细节
用编程数据到设备都标
准和解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区， mul-
tiple扇区或整个设备。表2和表
3表示地址空间中的每个扇区
占据。 A“扇区地址”组成的
需要唯一地选择一个扇区地址的位。
“命令定义”部分有详细
在擦除扇区或整个芯片，或可持
挂起/恢复擦除操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自选
模式。然后，系统可以自动选择读取
从内部寄存器的代码（这是另行
在DQ7 - DQ0率从存储器阵列） 。
标准读周期时序适用于这种模式。
请参阅“自选模式”和“自选
命令序列“部分的详细信
息。
I
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写
模式。在“AC特性”部分包含
时序规格表和时序图
对于写操作。
高阻抗状态，独立的
OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式
当CE ＃和RESET ＃引脚都举行
V
CC
±
0.3 V （注意，这是一个更受限制
电压范围比V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃是
在V举行
IH
，但不是在V
CC
±
0.3 V时，器件
将在待机模式下，但待机
电流将更大。该设备需要标
准存取时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，
它是前准备读取数据。
如果设备被擦除或亲过程中取消选择
编程时，器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
代表了备用电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪光
装置的能耗。该装置自动
matically使这种模式下，当地址
保持稳定吨
加
+ 30纳秒。自动
睡眠模式是独立的，CE＃ ， WE＃
和OE ＃控制信号。标准地址
访问时机提供新的数据时，
地址被改变了。而在睡眠模式下，
输出数据被锁存，并随时可以
该系统。我
CC4
在DC特性表
表示自动睡眠模式电流
特定连接的阳离子。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供的硬件方法
该装置复位到读出阵列的数据。当
在RESET ＃引脚被拉低了至少
的t期
RP
时，设备
立即termi-
纳茨
中的任何操作，所有的三态
输出引脚，并忽略所有的读/写的COM
mands为RESET＃脉冲的持续时间。
该器件也复位内部状态
机读取阵列的数据。操作
被中断应当立即被重新开始
该设备已准备好接受另一个命令
序列，以确保数据的完整性。
电流减小为的持续时间
- [R （E S） ET ＃ P ü升发E 。瓦ê n个R （E S） （E T） ＃中文é升D A吨
V
SS
± 0.3 V时，设备将CMOS待机
电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃保持在V
IL
但不
在V
SS
± 0.3 V ，待机电流将
更大的。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此也重
闪存存储器，使系统能够读取
从Flash存储器的引导固件。
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编程和擦除操作状态
在擦除或编程操作时，
系统可以通过检查操作的状态
阅读DQ7 - DQ0状态位。标准
读周期时序和我
CC
读取规格
适用。请参阅“写操作状态”
更多信息，并以“ AC特性”
时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入
设备，它可以将器件置于待机
模式。在这种模式下，电流消耗是
大大减少，并且输出被放置在
2005年1月21日Am29LV800D_00_A4_E
Am29LV800D
