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D A T A中文ê （E T）
DC特性
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LR
I
LO
I
CC1
参数说明
（注）
输入负载电流（ 1 ）
A9 ， ACC输入负载电流
RESET漏电流
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流
(2, 3)
V
CC
初始页面读取电流（ 2,3）
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
CC
= V
CC MAX
; RESET＃ = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
5兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
,
1兆赫
1兆赫
I
CC2
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
10兆赫
10兆赫
33兆赫
3
13
4
40
3
6
50
1
1
1
– 0.5 V
1.9 V
11.5
民
典型值
最大
±1.0
35
35
±1.0
34
mA
43
50
80
20
40
60
5
5
5
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.15 x垂直
CC
0.85 V
CC
V
CC
–0.4
2.3
2.5
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
mA
单位
A
A
A
A
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
CC
内页读电流（2 ，3）
V
CC
有效写电流（ 3,4）
V
CC
待机电流（ 3 ）
V
CC
复位电流（ 3 ）
自动休眠模式（ 3,5）
输入低电压（ 5 ）
输入高电压（ 5 ）
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V,
WP ＃ = V
IH
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V ， WP ＃ = V
IH
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
V
IL
= V
SS
±
0.3 V ， WP ＃ = V
IH
电压自动选择和临时
V
CC
= 2.7 –3.6 V
部门撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（ 6 ）
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
注意事项：
1.在WP ＃ / ACC引脚只，最大输入负载电流时， WP ＃ = V
IL
为± 5.0 μA 。
2.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
3.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
4. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
5.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。 V
CC
电压要求。
6.未经100％测试。
2003年5月16日
Am29LV320MT/B
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