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D A T A
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”更多
信息。
该器件具有一个
解锁绕道
模式设施
射孔更快的编程。一旦设备进入
解锁旁路模式，只有两个写周期是重
引入来编程，而不是四个字或字节。该
“字/字节编程命令序列”部分
对编程数据的详细信息到设备使用
bothstandardand ü非线性光学CK B ypasscommand
序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门
地址“包含所需的地址位
唯一选择一个部门。 “命令定义”
部分对擦除扇区或整个细节
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用
此模式。请参阅“自选模式”和“非盟
toselect命令序列“章节了解更多
信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
中文ê （E T）
我
CC
读取规格适用。请参阅“写OP-
关合作状态“的详细信息，并以” AC
特色“的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入到设备
副，它可以将器件置于待机模式。在
这种模式下，电流消耗大大减少，
并输出被放置在高阻抗
国家，独立的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
的，但不
在V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机
模式，但待机电流将更大。 DE-的
副要求标准访问时间（t
CE
）读
访问时，该设备在任一这些备用的
模式，它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
表象
货物内待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。自动装置
使得当地址保持稳定为这种模式
t
加
+ 30纳秒。自动睡眠模式
独立的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制
信号。标准地址的访问时序提供了新的
当地址被更改的数据。而在睡眠
模式时，输出数据被锁存并总是可用
该系统。我
CC4
在DC特性表
再版也先TS前作自动休眠谟德立方米rren吨
特定连接的阳离子。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统
可以通过读取查询的操作的状态
在DQ7 - DQ0状态位。标准的读周期时序
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Am29LV160D
2006年5月5日22358B7
