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D A T A
表8 。
地址
（字模式）
40h
41h
42h
43h
44h
45h
46h
47h
48h
地址
（字节模式）
80h
82h
84h
86h
88h
8Ah
8Ch
8Eh
90h
中文ê （E T）
主要的供应商特定的扩展查询
数据
描述
查询唯一的ASCII字符串“ PRI ”
主要版本号， ASCII码
副版本号， ASCII码
地址敏感解锁
0 =必填， 1 =不要求
擦除挂起
0 =不支持， 1 =只， 2 =要读取&写读
部门保护
0 =不支持， X =部门在每组号码
部门临时撤消
00 =不支持， 01 =支持
部门保护/撤消计划
01 = 29F040模式， 02 = 29F016模式，
03 = 29F400模式， 04 = 29LV800A模式
同时操作
00 =不支持， 01 =支持
突发模式类型
00 =不支持， 01 =支持
页面模式类型
00 =不支持， 01 = 4字页， 02 = 8字的页面
0050h
0052h
0049h
0031h
0030h
0000h
0002h
0001h
0001h
49h
92h
0004h
4Ah
4Bh
4Ch
94h
96h
98h
0000h
0000h
0000h
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外写入（见表9的COM
普通话的定义） 。此外，下面的硬件
数据保护措施防止意外删除
或编程，否则可能由下列原因造成
在V系统杂散电平信号
CC
上电
和断电的转换，或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
，该设备不AC-
概念的任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器
和所有内部程序/擦除电路都被禁止，
和设备重置。随后的写操作被忽略
直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须亲
韦迪适当的信号发送到控制销，以防止
无意识当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃噪声脉冲， CE＃
或WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制=
V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期，
CE＃和WE＃必须是逻辑零而OE＃是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，
该设备不接受的上升命令
的WE＃边沿。内部状态机是automati-
地清除到阅读上电时阵列的数据。
22358B7 2006年5月5日
Am29LV160D
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