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怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
WE＃建立时间
CS ＃脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
WE＃从WE＃保持高
CS ＃脉冲宽高
编程操作的持续时间
擦除操作的时间
先读后写恢复
芯片编程时间
WMF128K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
-50
民
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-60
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-70
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-90
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-120
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
最大
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
4
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