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富士通半导体
数据表
DS05-20850-4E
FL灰内存
CMOS
8M (1M
×
8 ）位
MBM29F080A
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F080A是8 M位， 5.0 V -仅限Flash组织为1兆字节的每一个8位的内存。在1兆字节
的数据被划分成的64千字节为灵活的擦除能力的16个扇区。数据的8比特将出现在DQ
0
到DQ
7
。该MBM29F080A是在一个48引脚TSOP （ I） ， 40引脚TSOP和44引脚SOP封装。该装置
,
被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
用于编程或擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F080A提供55纳秒至90纳秒允许高速运行之间的存取时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F080A的命令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
12.0 V Flash或EPROM器件。
该MBM29F080A通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。每个扇区可以被编程并且在小于0.5秒验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。这将调用嵌入式擦除算法这是一个内部
算法，该算法自动地preprograms阵列如果它尚未被执行擦除之前编程
操作。在擦除，设备会自动倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞保证金。
（续）
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V ±5%
V
CC
= 5.0 V ±10%
-55
—
55
55
30
MBM29F080A
—
-70
70
70
30
—
-90
90
90
40
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
