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MBM29F040C
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芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是芯片擦除命令进行。
芯片擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法的命令序列，设备将自动编程和验证整个内存为全零
之前的电擦除的数据模式。该系统不要求在这些提供任何控制或定时
操作。
自动擦除开始的最后一个WE脉冲的命令序列和终止的上升沿
当DQ数据
7
为“1” （见写操作状态一节。 ） ，此时设备返回读取
模式。
采用典型的命令字符串和公交运营图14显示嵌入式擦除算法。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。部门
地址（所需扇区内的任意地址的位置。 ）被锁定在WE的下降沿，而命令
（数据= 30H）被锁定在WE的上升沿。超时50微秒，从最后一个扇区的上升沿
擦除命令将启动扇区擦除命令（S ） 。
多个扇区可以同时通过如上所述写入的六个总线周期的操作进行擦除。这
序列之后是与扇区擦除命令，以在其他部门地址写入所希望的是
同时擦除。写操作之间的时间必须小于50微秒，否则该命令将不
接受的。建议在处理器的中断在这段时间内，以保证该状态下被禁用。
可以重新启用中断的最后一个扇区擦除命令写入后。超时50微秒从
最后的上升沿，我们将启动扇区擦除命令（ S）的执行。如果另一个下降沿
在WE产生的50微秒超时时段的定时器被复位内。 （监视器DQ
3
以确定该扇区擦除
定时器的窗口仍处于打开状态，见DQ
3
，扇区擦除定时器。 ）任何命令比扇区擦除或其他
在此超时时间擦除挂起将重置设备来读取模式，忽略了以前的命令
字符串。重置设备后执行已经开始将损坏的扇区中的数据。在这种情况下，重新启动
在删除这些部门，让他们来完成。 （请参考扇区写操作状态部分
清除定时器的操作。 ）中的扇区擦除缓冲器可以以任何顺序和以任何数目的完成
扇区（ 1 7）。
扇区擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。设备会自动程序
在该扇区的所有存储单元之前应当电擦除擦除。当删除一个或多个扇区的
剩余的未被选择的扇区不受影响。该系统不要求提供任何控制或定时
在这些操作过程。
自动扇区擦除开始50微秒后超时从WE脉冲的最后一个上升沿
扇区擦除指令脉冲和终止时的DQ数据
7
为“1” （见写操作状态一节。 ）
此时，设备将返回到读模式。在扇区擦除命令的执行，只有
擦除挂起和恢复擦除命令是允许的。其他所有命令都将重置设备来读取
模式。数据轮询必须在一个地址进行的任何扇区被擦除。
图14示出了嵌入式擦除
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
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