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MBM29F400TC
-55/-70-90
/MBM29F400BC
-55/-70-90
在此期间，写入到芯片的任何命令都将被忽略。如果在发生硬件复位
编程操作时，就不可能保证数据被写入。
编程允许以任何顺序和跨越扇区边界。注意的是，一个数据“0”不能
程序返回到“1” 。尝试这样做既可以挂上设备或导致明显的成功
根据数据轮询算法但是从读/复位模式中读出显示中的数据仍然为“0” 。只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
在“嵌入式编程算法”
sFlow的
图表显示算法采用嵌入式编程
典型的命令字符串和总线操作。
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是芯片擦除命令进行。
芯片擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
TM
算法的命令序列，设备将自动编程和验证整个内存为全零
之前的电擦除的数据模式。该系统不要求在这些提供任何控制或定时
操作。
自动擦除开始的最后一个WE脉冲的命令序列和终止的上升沿
当DQ数据
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为“1” （见写操作状态部分） ，此时设备返回读取
模式。
在“嵌入式擦除算法”
sFlow的
图表显示使用典型的嵌入式擦除算法
命令字符串和总线操作。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。部门
地址（所希望的扇区内的任意地址的位置）被锁定在WE的下降沿，而命令
（数据= 30H）被锁定在WE的上升沿。后超时50微秒的从最后一个扇区的上升沿
擦除命令后，扇区擦除操作将开始。
多个部门同时可以通过编写六个总线周期操作的“ MBM29F400TC / BC被删除
命令中定义“
sdevice
总线操作。该序列后跟与扇区擦除的写
命令其他部门的地址需要被同时删除。写操作之间的时间必须是
不到50微秒，否则该命令将不被接受和擦除开始。所以建议
处理器的中断在这段时间内，以保证该状态下被禁用。可以被重新使能中断
经过最后一个扇区擦除命令被写入。超时50微秒从去年的上升沿，我们将启动
扇区擦除命令（ S）的执行。如果在50微秒内发生的WE的另一个下降沿时间
窗外的定时器复位。 （监视器DQ
3
以确定扇区擦除定时器窗口仍处于打开状态，见
DQ
3
，扇区擦除定时器。 ）在此超时期限的任何命令比扇区擦除或擦除挂起其他
将设备复位到读模式，忽略前面的命令字符串。重置设备一次
执行已经开始将损坏该扇区的数据。在这种情况下，重新启动这些部门的擦除和
让他们来完成。 （参见“写操作状态”为扇区擦除定时器操作。 ）加载机构
擦除缓冲器可以以任何顺序和以任何数目的扇区（ 0到10）来完成。
扇区擦除不要求用户在擦除之前的设备进行编程。设备会自动程序
在该扇区的所有存储单元之前应当电擦除擦除。当删除一个或多个扇区的
剩余的未被选择的扇区不受影响。该系统不要求提供任何控制或定时
在这些操作过程。
自动扇区擦除开始50微秒后超时从WE脉冲的最后一个上升沿
扇区擦除指令脉冲和终止时的DQ数据
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为“1 ”（见“写操作状态” ），在该
时间的装置返回到读模式。数据轮询必须在一个地址中的任何一个部门来执行
被删除。
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