EM621FV16BU系列

低功耗， 128Kx16 SRAM

文档标题

128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

最初的草案

0.1版本

修订后的VOH （ 2.2V至2.4V ） ， TOH （为15ns至10ns的） ，

TOE - 55 （为30ns至25ns的） ， TWP - 55 （为45nS至为40ns ） ，

TWP -70 （ 55ns至50ns的） ， tWHZ - 70 （为25ns至20ns的） ，

ICC （ 2mA至3毫安） ， ICC1 （ 2mA至3毫安）

修正错字错误

草案日期

2007年6月28日

2007年7月2日

备注

0.2

0.2版本

2007年11月13日

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