MC145193
设计注意事项
晶振注意事项
以下选项可以被认为是提供一种
参考频率为摩托罗拉的CMOS频率
合成器。
使用混合晶体振荡器
市售的温度补偿
晶体振荡器（ TCXO的）或晶体控制数据时钟
振荡器提供非常稳定的参考频率。一
在输出能力的CMOS逻辑电平的振荡器可以是
直接或直流耦合到REFIN 。如果振荡器不具有
CMOS逻辑电平的输出端，电容或交流耦合
到REFIN可以使用（参见图8）。
关于温度补偿晶体振荡器和时钟数据的其他信息
振荡器，请咨询的最新版本
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类似的出版物。
设计一个片外参考
使用用户可以设计出一个片外晶体振荡器
分立晶体管或集成电路专为开发晶
振荡器的应用。参考信号通常是交流
耦合到REFIN （参见图8） 。对于大振幅信号
（标准CMOS逻辑电平） ，也可以使用直流耦合。
使用片上振荡器电路
片上放大器（一个数字反相器）以及一个
合适的晶体可用于提供一个参考
源频率。一个基本模式晶体，并行
谐振在所需的操作频率，应
连接成如图18所示。
水晶应为负载电容来指定
（CL）的不超过约20 pF的使用时
在该环路中列出的最高工作频率
产品规格表。假设R1 = 0
,
分流负载
电容（CL ）给出整个晶体可以是
估计为：
CL = CinCout +钙+ CSTRAY + C1
C2
C1 + C2
CIN + Cout的
哪里
霉素= 5 pF的（参见图19）
的cout = 6 pF的（参见图19）
钙= 1 pF的（参见图19）
C1和C2 =外部电容（参见图18）
CSTRAY =总的等效外部电路的杂散
电容的通过水晶
码头
该振荡器可以通过一个上频“微调”
部分或全部C1变量。水晶和相关
组件必须位于尽可能接近的
REFIN和REFOUT引脚，以尽量减少失真，杂散
电容，寄生电感和启动稳定时间。
电路的杂散电容，也可以通过将处理
适当的杂散值设置为CIN和Cout的值。为了这
的方法中，术语CSTRAY变为0 ，在上述表达式
为CL 。
功率消耗在的有效串联电阻
水晶，再在图20的最大驱动电平规定
由晶体制造商表示最大压力
该晶体可以承受而不损坏或过度
转变工作频率。 R1在图18限制了驱动
的水平。使用R 1是没有必要的，在大多数情况下。
要验证最大直流电源电压不
导致晶体过驱动，监视输出
频率（ FR ） ，在OUTPUT A为电源电压的函数。
（ REFOUT不使用，因为负载的影响振荡器）。
频率应该非常轻微的增加，因为直流电源
电压增加。在过载晶体下降
频率或变得不稳定的增加供应
电压。操作电源电压必须降低或R1
必须在值增加，如果在过载条件存在。
用户应注意，振荡器起振时间
正比于R1的值。
通过与使用提供晶体的过程
CMOS反相器，多晶生产厂家有
发达的专业知识， CMOS振荡器的设计与晶体。
与这些制造商的讨论可以证明是非常有用的
（见表6）。
图18.皮尔斯晶体振荡器电路
频率合成器
REFIN
Rf
R1*
REFOUT
C1
C2
*可能需要在某些情况下。见文。
图的19寄生电容
放大器和CSTRAY
Ca
REFIN
CIN
CSTRAY
COUT
REFOUT
图20.等效水晶网
RS
1
2
1
LS
CS
2
CO
1
Re
Xe
2
注：值由水晶制造商提供的
（并行谐振晶体） 。
摩托罗拉无线半导体
解决方案 - 射频和中频设备数据
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