位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第574页 > EM641FS32DW-10L > EM641FS32DW-10L PDF资料 > EM641FS32DW-10L PDF资料1第8页
融合存储&逻辑解决方案公司
写周期时序波形（ 3 ） （ UB ， LB控制）
EM621FU16系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS
t
一种W
t
B W
UB ， LB
t
A S
(3)
WE
t
DW
DATA IN
数据输出
高-Z
数据有效
t
W R
(4)
t
W P
(1)
t
DH
高-Z
笔记
（写周期）
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS和低WE 。一开始写的时候CS变低和WE
变低，有主张UB或LB单字节操作或同时主张UB和LB双
字节操作。在最早转型写结束时， CS变为高电平， WE变高。经t
WP
is
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
是从CS测量要低写入的结束。
3. t
A S
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从端或写入地址变化进行测定。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS
或者我们要高。
8
