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EM620FV16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
写周期时序波形（ 3 ） （ CS2控制）
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS1
t
AS
(3)
CS2
t
AW
t
WP
(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据输出
高-Z
数据有效
t
WR
(4)
t
DH
高-Z
写周期时序波形（ 3 ） （ UB ， LB控制）
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS1
CS2
t
WR
(4)
t
AW
t
BW
t
AS
(3)
t
WP
(1)
t
DH
UB ， LB
WE
DATA IN
数据输出
笔记
（写周期）
t
DW
数据有效
高-Z
高-Z
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS1高CS2和低WE 。写在开始CS1中的最新过渡
变为低电平，CS变为高电平和WE为低电平。在当CS1为高电平最早的转变写入结束后， CS2变为高电平， WE
变高。经t
WP
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
从CS1测定变低写的末尾。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从端或写入地址变化进行测定。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS1或我们要高。
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