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EM681FV16AU系列
低功耗， 512Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
T
A
= -40 85
o
C，另有规定
过冲： V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
.
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
我们= V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ，
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS = V
IL
， LB = V
IL
或/和UB = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS>V
CC
-0.2V
测试条件
民
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
典型值
-
-
-
-
最大
1
1
2
4
45
35
25
0.4
-
0.5
单位
uA
uA
mA
mA
-
-
2.2
-
-
-
-
-
mA
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
=3.3V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=3.6V @ 85
o
C)
LF
-
2
15
uA
4
