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EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
时序波形写周期（ 1 ） （我们控制）
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS1
t
WR
(4)
CS2
t
AW
t
WP
(1)
WE
t
AS
(3)
DATA IN
高-Z
t
WHZ
数据输出
数据中，未定义
t
DW
数据有效
t
DH
高-Z
t
OW
写周期时序波形（ 2 ） （ CS1控制）
t
WC
地址
t
AS
(3)
CS1
t
CW
(2)
t
WR
(4)
CS2
t
AW
t
WP
(1)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
数据有效
t
DH
数据输出
高-Z
8
