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EM620FU8BT系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
写周期时序波形（ 3 ） （ CS2控制）
t
WC
地址
t
CW1,2
(2)
CS1
t
AS
(3)
CS2
t
AW
t
WP
(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据输出
高-Z
数据有效
t
WR
(4)
t
DH
高-Z
笔记
（写周期）
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS1 ，高CS2和低WE的。写始于最新
间CS1过渡变为低电平，CS变为高电平和WE为低电平。在最早转型写结束
其中CS1变为高电平， CS2变低， WE变高。经t
WP
从写开始时所测
到写的末尾。
2. t
CW
从CS1测定变低或CS2变高写的末尾。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从端或写入地址变化进行测定。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS1
或者我们是否过高或CS2变低。
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