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EM641FT8T系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
I
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
I
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
t
RC
典型值
2)
-
1
-
-
最大
-
7
-
-
单位
V
A
ns
笔记
1.请参阅数据表第4页的ISB1测量条件。
被测量TA 2.典型值= 25
o
C和不是100 ％测试。
数据保存波形
t
SDR
V
cc
5V
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS
GND
V
DR
1.5V
CS > VCC- 0.2V
9
