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融合存储&逻辑解决方案公司
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
笔记
EM610FV8T系列
低功耗， 128Kx8 SRAM
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
I
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
民
1.5
-
0
典型值
2)
-
0.25
-
-
最大
3.6
-
-
单位
V
A
V
CC
= 1.5V ，我
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
看到数据保存波形
ns
t
RC
-
1.请参阅我
S B 1
数据表第4页的测量条件。
2.典型值是在T测
A
=
25
o
C和不是100 ％测试。
数据保存波形
CS
1
控制
V
cc
2.7V
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS
1
GND
CS
1
> VCC- 0.2V
CS
2
控制
V
cc
2.7V
CS
2
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
V
DR
0.4V
CS
2
＆ LT ; 0.2V
GND
9
