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融合存储&逻辑解决方案公司
特点
工艺技术：采用0.18μm CMOS全
组织： 128K ×8位
电源电压： 2.7V 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 TSOP1
EM610FV8T系列
低功耗， 128Kx8 SRAM
概述
该EM610FV8T家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
EM610FV8T
操作
温度
工业级（-40 85
o
C)
VCC
范围
速度
待机
(I
SB1
，典型值）
0.5
A
2)
操作
(I
CC1
的.max ）
3毫安
PKG
TYPE
32-TSOP1
2.7V~3.6V
55
1)
/为70ns
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
A
=25
o
C和不是100 ％测试。
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
OE
A10
CS1
IO8
IO7
IO6
IO5
IO4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
预充电电路
23
22
21
20
19
18
17
行拣选的人
32 - TSOP
类型1 - 前进
26
25
24
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
C
C
V
SS
存储阵列
1024 x 1024
I / O1 I / O8
数据
CONT
I / O电路
列选择
名字
CS
1
， CS
2
OE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
功能
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
WE
VCC
VSS
NC
功能
A A
11
A A
13
A A A
14
15
16
10
12
写使能输入
电源
地
无连接
WE
OE
C 1
S
C 2
S
控制逻辑
2
