位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第634页 > EM610FR16BW-12L > EM610FR16BW-12L PDF资料 > EM610FR16BW-12L PDF资料2第9页
融合存储&逻辑解决方案公司
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
笔记
EM611FV16U系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
I
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
民
1.5
-
0
典型值
2)
-
0.25
-
-
最大
3.6
-
-
单位
V
A
V
CC
= 1.5V ，我
SB1
测试条件
（芯片已禁用）
1)
看到数据保存波形
ns
t
RC
-
1.请参阅我
S B 1
数据表第4页的测量条件。
2.Typical值在T测量
A
=
25
o
C和不是100 ％测试。
数据保存波形
t
SDR
V
cc
2.7V
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS > VCC- 0.2V
CS
GND
9
