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EM641FT8S系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
（我们控制， OE低）写周期（ 3 ）的时序波形
t
WC
地址
t
CW
CS
t
AW
t
AS
3)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
WHZ
数据输出
数据中，未定义
数据有效
2)
t
WR
4)
t
WP
1)
t
DH
高-Z
笔记
（写周期）
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS和低WE 。写在开始之间的过渡最新
CS变低和WE变低。在最早转型写结束时， CS变为高电平， WE变高。
经t
WP
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
是从CS测量要低写入的结束。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS
或者我们要高。
8
