注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
f
= t
f
= 6纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
t
PHL
f
最大
C
PD
I
CC
C
in
I
in
功率耗散电容（每计数器） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大传输延迟，复位到任何Q
（图2和3）
最大传输延迟，时钟B到QD
（图1和3）
最大传输延迟，时钟B到QC
（图1和3）
最大传输延迟，时钟B到QB
（图1和3）
最大传输延迟，时钟A到QC
（ QA连接到时钟B ）
（图1和3）
最大传输延迟，时钟A到QA
（图1和3）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和3）
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏
当前
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
V
in
= V
CC
或GND
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC390A
4
V
CC
V
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
- 55
25_C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
±
0.1
200
160
58
49
10
75
27
15
13
80
48
30
26
70
40
26
22
90
56
37
31
70
40
26
22
70
40
24
20
10
15
30
50
4
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
1.0
105
70
46
39
250
185
65
62
10
95
32
19
15
95
65
38
33
80
45
33
28
80
45
33
28
80
45
30
26
9
14
28
45
40
±
1.0
180
100
56
48
300
210
70
68
160
110
36
22
19
110
75
44
39
8
12
25
40
10
90
50
39
33
90
50
39
33
90
50
36
31
35
v
125_C
v
125_C
兆赫
单位
单位
mA
mA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
