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CY7C419/21/25/29/33
开关波形
（续）
扩展时序图
写到最后一个物理
位置装置1
W
t
WR
XO
1
（十一
2
)
[15]
t
XOL
t
XOH
写第一个物理
定位装置2的
t
SD
D
0
–D
8
t
HD
t
SD
t
HD
数据有效
数据有效
读取最后一个物理
位置装置1
R
t
RR
t
XOL
XO
1
（十一
2
)
[15]
读取第一个物理
定位装置2的
t
XOH
t
HZR
t
LZR
Q
0
–Q
8
t
A
t
DVR
数据
有效
t
A
t
DVR
数据
有效
注意：
15.扩展出装置1 （ XO
1
）被连接到扩展在装置2 （Ⅺ
2
).
架构
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，
CY7C432 / 3的FIFO组成256的阵列， 512 ， 1024 ， 2048 ，
的每个9位4096字（由阵列实现
双端口RAM单元） ，一个读指针，写指针，控制
信号（ W，R ，XI， XO ，佛罗里达州， RT ， MR）和全，半满，而
空标志。
双口RAM
在双端口RAM的体系结构是指在基本存储器
细胞在RAM中。细胞本身可以使读出和写入
操作是相互独立的，这是
要实现的真正的异步操作
输入和输出。第二个好处是，所需要的时间
递增的读和写指针比小得多
将需要进行数据传输通过的时间
存储器，这将是该情况下，如果存储器是imple-
mented使用常规寄存器阵列架构。
复位FIFO
上电时， FIFO中必须复位与主复位
（ MR）的周期。这使得FIFO进入空状态
由空标志（ EF ）为低，而两个半标志着
满（ HF）和Full标志（ FF）为高。阅读（ R）和写
（W）必须为高电平吨
乡郊小工程
/t
预激
之前和T
RMR
后上升
MR的一个有效的复位周期的边缘。如果从FIFO读
复位周期企图后，输出都将在
高阻抗状态。
将数据写入FIFO
中的至少一个空位置的可用性是由一个指示
高FF 。 W的下降沿启动写周期。数据
出现在输入端（D
0
–D
8
) t
SD
之前和T
HD
后
W的上升沿将被顺序地存储在FIFO中。
在EF低到高的转变出现吨
世界经济论坛
在网络连接后第一个
低到高W的一个空FIFO过渡。 HF去
LOW吨
WHF
W的下面的FIFO中的下降沿之后
实际上是半满。因此， HF为活性一旦
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文件编号： 38-06001牧师* B
