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CY7C199
32K x 8静态RAM
特点
高速
= 12 ns的
快速吨
美国能源部
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦（最大， “L ”版）
低待机功耗
- 0.275毫瓦（最大值， “L”的版本）
2V数据保留（仅“L ”版）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
提供无铅28引脚TSOP I和28引脚（ 300密耳）
模压DIP
功能说明
该CY7C199是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32,768字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。此设备具有
自动断电功能，降低功耗
当取消了81 ％的消费。该CY7C199是在
标准的300密耳宽DIP ， SOJ ，而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
逻辑框图
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
12
A
13
A
11
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
L
最大的CMOS待机电流
L
10
–12
12
160
–15
15
155
90
10
0.05
–20
20
150
10
单位
ns
mA
mA
A
14
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05160牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
