CY7C1541V18
CY7C1556V18
CY7C1543V18
CY7C1545V18
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文档标题： CY7C1541V18 / CY7C1556V18 / CY7C1543V18 / CY7C1545V18 ， 72 - Mbit的QDR -II + SRAM 4字突发架构设计师用手工
tecture （ 2.0周期读延迟）
文档编号： 001-05389
启示录
**
*A
ECN号
403090
425252
问题
日期
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
VEE
VEE
变化的说明
新的数据表
更新了部分DLL
在DC和AC参数部分固定错别字
更新的开关波形
更新了上电顺序
在AC定时添加额外的参数
ECN的秀网络
移动的选型指南表从页＃ 3页＃ 1
改进的应用图示
改变的吨
TH
和T
TL
从40 ns至20 ns的改变吨
TMSS
, t
TDI发动机
, t
CS
, t
TMSH
, t
tDIH
, t
CH
10 ns至5纳秒和改变吨
TDOV
从20 ns至10 ns的TAP交流开关
特性表
修改上电波形
对电源电压的V包括最大额定值
DDQ
相对于GND
改变最大额定值为直流输入电压从V
DDQ
到V
DD
改变了我的引脚定义
X
从输入负载电流为输入漏电流上
page#18
改变了V
DDQ
工作电压1.4V到V
DD
在功能部分，在
工作范围表和直流电气特性表
补充足记在页面＃ 1
-10改变环境温度的最大额定功率与应用
°
C
+85
°
C至-55
°
C至+ 125
°
C
改变了V
REF
（最大值）从0.85V到规范0.95V直流电气特性
表和表中的音符
更新脚注＃ 21指定过冲和下冲规格
我更新
DD
我
SB
值
更新
Θ
JA
和
Θ
JC
值
除去X9组成部分，它的相关信息
更新脚注＃ 25
从初步转化为最终
加入x8和X9件
改变的吨
CYC
最大规格为8.4纳秒的速度都垃圾桶
更新脚注＃ 23
更新订购信息表
*B
*C
437000
461934
见ECN
见ECN
IGS
NXR
*D
497567
见ECN
NXR
*E
1351243见ECN
VKN / FSU
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使用可能是有限的，受适用的赛普拉斯软件许可协议。
文件编号： 001-05389修订版* E
修订后的2007年7月24日
第28页28
QDR RAM和四倍数据速率RAM中包含的由Cypress ， IDT ， NEC ，瑞萨，三星开发的产品家族的新成员。本文档中提及的所有产品和公司名称
均为其各自所有者的商标。
