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初步
CY7C1399D
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1399B
单3.3V电源
适用于低电压高速缓存存储器的应用
高速
— t
AA
= 8纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 1.2 MA（ “L”版本）
数据保持在2.0V
采用28 SOJ和28 TSOP I无铅封装
功能说明
[1]
该CY7C1399D是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片使能（CE ）提供及
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
功耗取消的时候。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399D是28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型无铅封装。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05467牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月10日
