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CY7C138
CY7C139
开关特性
在整个工作范围
[8]
（续）
7C138-15
7C139-15
参数
SEMAPHORE时序
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
SEM标志更新脉冲（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
10
5
5
10
5
5
15
5
5
20
5
5
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
马克斯。
7C138-35
7C139-35
分钟。
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期第1号（任一端口地址访问）
[15, 16]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C138-8
读周期2号（任一端口CE / OE访问）
SEM或CE
OE
t
LZOE
t
LZCE
数据输出
t
PU
I
CC
I
SB
t
ACE
[15, 17, 18]
t
HZCE
t
HZOE
t
美国能源部
数据有效
t
PD
C138-9
注意事项：
8.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
用10试验条件为负载3 。
11.此参数是保证，但未经测试。
12.从写端口读取端口上的部分到部分延迟至RAM单元的信息，请参考阅读时间与端口到端口延迟波形。
13.使用测试条件负载2 。
14. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
- t
PWE
（实际的）或T
DDD
- t
SD
（实际的） 。
15. R / W为高电平时为读周期。
16.设备不断选择CE =低和OE = LOW 。这个波形不能用于信号读出。
17.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
18. CE
L
= L ， SEM =访问RAM当H 。 CE = H ， SEM =访问信号量当L 。
6
