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CY7C1338G
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
在V电源电压
DDQ
相对于GND ...... -0.5V到+ V
DD
直流电压应用到输出的
三态............................................ -0.5 V到V
DDQ
+ 0.5V
范围
广告
产业
直流输入电压................................... -0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
环境
温度
]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
V
DDQ
3.3V
5%/+10%
2.5V –5%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
[8, 9]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[8]
输入漏电流
除ZZ和MODE
对于3.3V的I / O，I
OH
= -4.0毫安
对于2.5V的I / O，I
OH
= -1.0毫安
对于3.3V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
对于3.3V的I / O
对于2.5V的I / O
对于3.3V的I / O
对于2.5V的I / O
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
2.0
1.7
–0.3
–0.3
5
–30
5
–5
30
–5
5
225
205
90
80
40
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100兆赫
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
马克斯。
3.6
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
I
SB1
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
，输出禁用
V
DD
工作电源
当前
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备选中， 7.5纳秒的周期， 133 MHz的
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
， 10纳秒的周期， 100兆赫
输入开关
I
SB2
自动CE
最大。 V
DD
，设备选中，所有速度
掉电
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
目前， CMOS输入F = 0 ，输入静态
自动CE
最大。 V
DD
，设备选中， 7.5纳秒的周期， 133 MHz的
掉电
V
IN
≥
V
DDQ
- 0.3V或V
IN
≤
10 ns的周期， 100兆赫
目前， CMOS输入0.3V ，
f = f
最大
，输入切换
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，所有速度
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
F = 0 ，输入静态
I
SB3
75
65
45
mA
mA
mA
I
SB4
注意事项：
8.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
9. T
上电
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
文件编号： 38-05521牧师* D
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