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CY7C106BN
CY7C1006BN
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[4]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
& LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
250
0
200
马克斯。
单位
V
A
ns
ms
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
DR
& GT ; 2V
4.5V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
1
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号( OE控制)
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
阻抗
数据输出
注意事项:
10.没有输入可能超过V
CC
+0.5V.
11.设备不断选择, OE和CE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号: 001-06429修订版**
第4页8
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