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三菱的LSI
MH4M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 150994944 - BIT （ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
引脚配置（顶视图）
描述
该MH4M365CXJ / CNXJ是4194304字×36位动态
内存。这个由八个行业标准4M ×4动态
公羊SOJ和SOJ四大产业4M ×1 dyanmic的RAM 。
SOJ对一个单列直插式封装的安装提供任何
应用中的高密度和大量的内存
是必需的。这是一个插座式存储器模块，适合于
方便的交换或增加模块。
[双面]
1.Vss
2.DQ0
3.DQ16
4.DQ1
5.DQ17
6.DQ2
37.MP1
38.MP3
39.Vss
40.CAS0
41.CAS2
42.CAS3
43.CAS1
44.RAS0
45.NC
46.NC
47.W
48.NC
49.DQ8
50.DQ24
51.DQ9
52.DQ25
53.DQ10
54.DQ26
55.DQ11
特点
型号名称
MH4M365CXJ/CNXJ-5
MH4M365CXJ/CNXJ-6
MH4M365CXJ/CNXJ-7
RAS
CAS
访问访问
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
地址周期
动力
ACCESS
耗散
时间
时间
化
（ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
7.DQ18
8.DQ3
11.NC
10.Vcc
11.NC
12.A0
13.A1
14.A2
15.A3
50
60
70
13
15
20
25
30
35
90
110
130
7240
5920
5200
72PIN单列直插式封装
单5.0V ± 10 ％电源
低待机功耗
44MW （最大）
低工作功耗
MH4M365CXJ / CNXJ- 5
MH4M365CXJ / CNXJ- 6
MH4M365CXJ / CNXJ- 7
16.A4
17.A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
CMOS lnput水平
9.15W （最大）
7.48W （最大）
6.51W （最大）
18.A6
19.A10
20.DQ4
21.DQ20
22.DQ5
超页模式， RAS只刷新， CAS RAS前
刷新，刷新隐藏功能
所有的输入和输出直接TTL兼容
2048刷新周期每32毫秒（A
0
~ A
10
)
MH4M365CXJ
MH4M365CNXJ
镀金
镍+镀焊锡
23.DQ21
24.DQ6
25.DQ22
26.DQ7
27.DQ23
28.A7
29.NC
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，
刷新内存CRT
30.Vcc
31.A8
32.A9
33.NC
34.RAS2
35.MP2
36.MP0
56.DQ27 37
38
57.DQ12 39
40
41
58.DQ28 42
43
59.Vcc
44
45
60.DQ29 46
47
61.DQ13 48
49
62.DQ30 50
51
63.DQ14 52
53
64.DQ31 54
55
56
65.DQ15 57
58
66.NC
59
60
67.PD1 61
62
68.PD2 63
64
69.PD3 65
66
67
70.PD4 68
69
71.NC
70
71
72.Vss
72
概述72N9D -C
PD1
PD2
PD3
PD4
-5
VSS
NC
VSS
VSS
-6
VSS
NC
NC
NC
-7
VSS
NC
VSS
NC
NC ：无连接
MIT-DS-0086-1.1
三菱
电
( 1 / 15 )
Nov.8.96
