1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
写操作状态检测
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了两种软件
装置，以检测在完成一个写周期，为了
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
)
和切换位（ DQ
6
） 。写检测模式到底是
之后WE＃或CE ＃上涨为准启用
首先，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当29EE010 / 29LE010 / 29VE010是在间
纳尔写周期，任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节的
在字节载入周期将接收到的COM加载
二进制补码的真实数据。一旦写周期的COM
pleted ， DQ
7
将显示真实数据。该设备就准备好
为下一次操作。参见图6数据＃投票
时序图和图15的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图15的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010同时提供硬件
洁具及软件功能保护的非易失性数据
意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供JEDEC
经批准的可选软件的数据保护方案
所有数据修改操作，即写和芯片擦除。
有了这个计划，任何写操作需要包容
的一系列的三个字节装入操作传送给前面
数据装入操作。这三个字节负载SE-
quence用于启动写周期，从而提供
防止意外写操作的最佳保护，
例如，在系统上电或断电。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010附带的软
洁具数据保护禁用。
软件保护方案可以通过启用
施加一个3字节的序列的设备，在一
页面加载周期（图4和5）。该设备将随后
被自动设置到数据保护模式。任何
随后的写操作都需要在前面
三字节序列。请参阅表4的具体软
器指令代码和图4和图5为时序
图。要设置设备进入未受保护的模式，
一个6字节的序列是必需的。请参阅表4为
具体的代码和图8的时序图。如果一个
写时试图SDP启用该设备将
在非访问状态 300微秒。 SST建议
软件数据保护始终启用。见图
16的流程图。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010软件数据亲
tection是一个全球性的命令，保护（或解除）
对整个存储器阵列中的所有页面一旦启用（或
禁用）。因此，使用SDP的单页写
将使SDP为整个阵列。单页由
自己不能SDP启用或禁用。
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1998硅存储技术公司
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