1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
T
ABLE
13: P
AGE
-W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
DS
T
DH
T
BLC(1)
T
BLCO(1)
T
IDA
T
SCE
参数
写周期（擦除和编程）
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
字节负载循环时间
字节负载循环时间
软件ID准入和退出时间
软件芯片擦除
29EE010
民
最大
10
0
50
0
0
0
0
70
70
35
0
0.05
100
200
10
20
29LE/VE010
民
最大
10
0
70
0
0
0
0
120
120
50
0
0.05
100
200
10
20
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ms
304 PGM T13.1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
注意：
(1)
该参数仅在初步认证的设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
1998硅存储技术公司
11
304-04 12/97
