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初步
EMC646SP16K
4Mx16 CellularRAM的AD- MUX
图10 ：配置寄存器写入，同步模式，其次是读阵列操作
CLK
锁存控制寄存器值
A[21:16]
（除A [ 19:18 ] ）
操作码
t
SP
t
HD
锁存控制寄存器地址
地址
A[19:18]
2
t
SP
CRE
t
SP
ADV ＃
t
CBPH
Note3
地址
t
HD
t
HD
t
CSP
CE＃
OE ＃
t
SP
WE＃
t
HD
LB ＃ / UB ＃
A / DQ [ 15 ： 0 ]
操作码
地址
有效
数据
t
KHTL
等待
高-Z
高-Z
不在乎
注意：
同步模式配置寄存器写入后读阵列操作1.非默认BCR设置：延迟
代码2 （ 3个时钟），等待低电平，等待延迟期间有效。
2. [ 19:18 ] = 00B加载RCR ，和10b加载BCR 。
3. CE ＃必须保持低电平，完成突发的一写操作。 WAIT必须监测;造成额外的刷新等待周期
碰撞所需要的额外的CE ＃ LOW周期对应的次数。
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